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您是否正在寻找一颗能同时扛起高压、大电流重任，又能保持冷静高效的功率开关？STB35N65M5正是为您而来的解决方案。它集650V高耐压与27A连续电流能力于一身，凭借其革命性的MDmesh V技术，将导通电阻降至惊人的98毫欧，并大幅优化开关特性，旨在从源头上为您削减功耗，提升整体能效。

这颗芯片的使命，就是让您的设计工作更轻松。更低的导通与开关损耗，直接转化为更少的发热量，让您的散热设计得以简化，系统运行更加稳定可靠。无论是面对工业驱动的高强度作业，还是应对服务器电源的能效挑战，它都能让您从容应对，助力您的产品在性能与可靠性上赢得关键优势。

• 型号:STB35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB35N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。