我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB35N60DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STB35N60DM2正是为您而来。这颗基于先进MDmesh DM2技术的600V/28A MOSFET，核心使命就是让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。其极低的导通电阻与优化的动态参数，直接转化为更少的能量损耗和更低的温升，让您轻松提升整机能效，满足严苛的能效标准。

它采用坚固的D2PAK封装，具备强大的散热能力和宽广的工作温度范围，确保在工业电机驱动、服务器电源、UPS或太阳能逆变器等关键应用中稳定运行，无惧挑战。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏，简化设计，加速上市。

• 型号:STB35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB35N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。