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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STB32NM50N正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和22A的连续电流能力，其核心价值在于超低的130毫欧导通电阻与优化的动态参数。这意味着它能显著降低您电源系统中的传导与开关损耗，直接提升整体能效，让热量管理变得更轻松。

无论是用于开关电源、电机驱动还是功率转换电路，STB32NM50N都能让您的设计运行得更冷静、更高效。其坚固的TO-263封装和高达190W的耗散功率，确保了在苛刻环境下的长期稳定工作。选择它，就是选择了一个能帮助您简化设计、提升产品性能并加速上市的可靠伙伴。

• 型号:STB32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB32NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。