我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB32N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STB32N65M5为您带来改变。这颗基于先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和24A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅119毫欧）和优化的开关特性。这意味着它能显著降低您系统中的传导与开关损耗，直接提升整体能效，让设备运行更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS及新能源充电设备等高要求应用。优异的散热设计（150W功率耗散）和宽广的工作温度范围（高达150°C结温），确保了其在恶劣环境下的长期稳定运行。选择STB32N65M5，就是为您的下一个高效、紧凑且可靠的设计项目，找到了一个强大的动力核心。

• 型号:STB32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB32N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。