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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持超低损耗的功率开关吗？STB31N65M5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的650V/22A N沟道MOSFET，采用业界领先的MDmesh V技术，能为您带来前所未有的高效率体验。

它能让您的电源设计轻松实现更低的导通损耗和开关损耗，其148毫欧的超低导通电阻和仅45nC的栅极电荷，意味着更高的能源转换效率和更低的发热量。无论是用于服务器电源、工业驱动还是新能源系统，它都能确保稳定、高效的功率输出，让您的产品在性能和可靠性上双双胜出。

• 型号:STB31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB31N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。