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您正在设计一款需要处理高压、大电流的电源或电机驱动设备吗？STB25NM50N-1正是为您应对这类挑战而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和22A的连续电流能力，能轻松担当起系统主功率开关的重任。

得益于ST先进的MDmesh II技术，它在导通时阻抗极低（仅140毫欧@11A），能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。同时，优化的动态参数让开关速度更快，损耗更小，帮助您构建出更紧凑、更高效的电源解决方案。其坚固的I2PAK封装和高达150°C的结温，确保了它在恶劣环境下依然稳定可靠，是提升产品性能和耐用性的理想选择。

• 型号:STB25NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB25NM50N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。