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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时又能保持冷静与高效的功率开关吗？STB23N80K5正是为此而生。这颗基于ST先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和16A的连续电流处理能力，却能将导通损耗降至极低（Rds(on)典型值仅280mΩ），让您的电源转换效率轻松迈上新台阶。

它专为提升您的系统性能而优化。极低的栅极电荷（Qg仅33nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的高频开关电源设计更加游刃有余。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，并提供高达190W的功率耗散能力，确保在高负载下也能稳定运行，有效简化您的散热设计。无论是工业电机驱动、服务器电源，还是太阳能逆变器，STB23N80K5都能助您构建更紧凑、更可靠、能效更高的功率解决方案。

• 型号:STB23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB23N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。