您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的功率开关吗?STB230NH03L正是您的理想答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET,凭借其80A的高电流处理能力和低至3毫欧的导通电阻,能显著减少您系统中的功率损耗,提升整体能效,让热量管理变得更轻松。
它采用优化的STripFET技术,在10V驱动电压下拥有优异的开关特性,帮助您实现高效、快速的功率转换。无论是用于电源的同步整流,还是电机驱动等应用,STB230NH03L都能提供稳定可靠的性能,让您的设计更紧凑、运行更高效。
- 型号:STB230NH03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 40A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):72 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4700 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):300W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- STB230NH03L,ST(意法半导体)产品一站式供应商。