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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STB21NM60N-1正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和17A的连续电流能力，基于先进的MDmesh技术，它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，能轻松管理高达140W的功率耗散，确保在150°C的高结温下稳定运行。这意味着您可以简化散热设计，提升系统可靠性。无论是应对频繁开关，还是承受浪涌冲击，它都能为您提供稳健的支持，是构建耐用、高效电力转换系统的核心之选。

• 型号:STB21NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB21NM60N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。