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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、大电流任务的功率开关吗？STB21NM50N正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和18A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗190毫欧的导通电阻让电能传输更高效，直接将更多能量用于驱动负载，而非转化为无谓的热量。

它基于ST先进的MDmesh II技术，开关特性经过优化。65nC的低栅极电荷让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快，从而显著降低整体系统的开关损耗。搭配D2PAK封装带来的强大散热能力（最大功耗140W），它能确保您的高功率应用，如电源转换或电机控制，在高效运行的同时保持出色的热稳定性和可靠性，让您的产品设计事半功倍。

• 型号:STB21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。