我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB20NM50-1现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STB20NM50-1正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有550V的耐压和20A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

基于ST先进的MDmesh技术，它具备优异的开关特性，帮助您轻松优化系统性能，提升功率密度。其坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C），确保了在苛刻工业环境下的长期可靠性与稳定性。选择STB20NM50-1，就是为您的核心功率电路选择一个高效、可靠的强大引擎。

• 型号:STB20NM50-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB20NM50-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。