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您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效开关的“核心引擎”吗？STB200N4F3正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和惊人的120A连续电流能力，其核心魅力在于超低的4毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

得益于STripFET技术和优化的栅极电荷（仅75nC），它能让您的电路实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是应对-55°C到175°C的严苛温度挑战，还是处理瞬间大功率需求，它都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏和持久的耐力。

• 型号:STB200N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB200N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。