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您正在设计需要处理大电流的电源或电机控制方案吗？STB190NF04T4就是您的高效动力核心。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达120A的连续电流，而其超低的4.3毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统能效，降低发热。

得益于STripFET III技术和D2PAK封装，它能在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定工作，并有效散耗高达310W的功率。无论是用于提升工业驱动器的可靠性，还是优化服务器电源的转换效率，它都能让您的设计更强大、更可靠。选择它，就是为您的产品注入了经久耐用的高性能基因。

• 型号:STB190NF04T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 95A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB190NF04T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。