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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，且运行起来冷静高效的功率开关吗？STB18NM80正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有800V的坚固耐压和17A的强大电流通过能力，其核心秘密在于ST先进的MDmesh技术，它能将导通电阻显著降低至仅295毫欧，从而大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它不仅仅参数强悍，更懂得如何“聪明”地工作。优化的栅极特性让开关过程干净利落，有助于提升整体频率和效率。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费级产品的高性价比，STB18NM80都能让您轻松构建出更可靠、更紧凑的电力转换方案，将卓越性能转化为您的产品竞争力。

• 型号:STB18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。