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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STB18N60M6就是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V/13A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷。这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效，直接帮您节省能源成本并提升产品可靠性。

它专为应对高要求应用而优化，让您轻松驾驭高频开关设计。优异的开关特性配合D2PAK封装带来的良好散热能力，确保它在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力核心，助您轻松实现性能飞跃。

• 型号:STB18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。