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您正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压平台，同时保持超低损耗和快速开关的功率开关管吗？STB17N80K5正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET基于ST先进的MDmesh K5技术，拥有14A的强劲电流处理能力，而其低至340毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计。优化的栅极电荷和电容特性，让驱动电路设计更轻松，有助于提升开关频率，从而缩小磁性元件体积，实现系统的小型化。采用坚固的D2PAK封装，散热性能出众，安装可靠，确保您的高功率设计在-55°C到150°C的广泛温度范围内都能稳定工作。选择STB17N80K5，就是选择让高性能与高可靠性触手可及。

• 型号:STB17N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:866 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB17N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。