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还在为高压应用中的功率损耗和散热问题烦恼吗？让STB16NM50N来为您分忧！这颗基于ST先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，是专为高效能量转换而生的强力引擎。

它拥有500V的高耐压和15A的强电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或UPS系统时信心十足。其关键优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性，能显著减少功率损耗，提升整体效率，同时简化您的热管理设计，助您轻松打造更可靠、更紧凑的电源解决方案。

• 型号:STB16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。