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您正在寻找一颗能扛起高压重担，同时保持冷静高效的功率开关吗？STB16N90K5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达900V的击穿电压和15A的连续电流能力，其核心价值在于MDmesh K5技术带来的革命性低导通电阻仅330毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。超低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关特性，有效减少开关损耗，提升整体频率和效率。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，STB16N90K5都能提供卓越的可靠性和稳定性，其坚固的D2PAK封装和宽工作温度范围，让您的设计无惧挑战，高效前行。

• 型号:STB16N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1027 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。