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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关吗？STB160N75F3正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有75V的耐压和高达120A（Tc）的连续电流处理能力，其核心价值在于惊人的4毫欧超低导通电阻，能显著降低您在电源转换或电机驱动过程中的导通损耗，直接提升系统效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

得益于STripFET技术，它不仅在静态性能上出众，动态开关特性同样优异。仅85nC的栅极电荷让您的驱动电路设计更轻松，实现高效快速的开关。搭配D2PAK封装带来的强大散热能力（330W Tc），它能从容应对-55°C至175°C的严酷工作环境。选择它，就是为您的工业电源、新能源或自动化设备选择一个高效、可靠且易于管理的功率核心，让您的产品设计事半功倍。

• 型号:STB160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB160N75F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。