还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗?让STB15N65M5来为您解决!这颗650V/11A的N沟道MOSFET,采用先进的MDmesh V技术,能显著降低导通和开关损耗,助您轻松构建高效、低温的电源方案。
它专为要求严苛的应用而生,无论是工业电源、电机驱动还是高性能LED照明,STB15N65M5都能提供稳定可靠的开关性能。其优化的动态参数和坚固的D2PAK封装,让您的设计更高效,系统运行更持久,直接提升产品市场竞争力。
- 型号:STB15N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):340 毫欧 @ 5.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):810 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):85W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- STB15N65M5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。