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STB15N65M5 零件图片(仅供参考)

STB15N65M5
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STB15N65M5 规格参数

还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗?让STB15N65M5来为您解决!这颗650V/11A的N沟道MOSFET,采用先进的MDmesh V技术,能显著降低导通和开关损耗,助您轻松构建高效、低温的电源方案。

它专为要求严苛的应用而生,无论是工业电源、电机驱动还是高性能LED照明,STB15N65M5都能提供稳定可靠的开关性能。其优化的动态参数和坚固的D2PAK封装,让您的设计更高效,系统运行更持久,直接提升产品市场竞争力。

  • 型号:STB15N65M5
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-263(D2PAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):340 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):810 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):85W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • STB15N65M5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STB15N65M5 基本参数:

  • 电子零件型号:STB15N65M5
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STB15N65M5的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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