我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB141NF55现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的“能量开关”吗？STB141NF55正是您的理想之选！它凭借意法半导体先进的STripFET II技术，实现了惊人的80A电流处理能力与低至8毫欧的导通电阻，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，发热大幅降低。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的“电能守门员”。在10V驱动电压下，它能以极低的开关损耗快速响应，确保能量传输路径畅通无阻。其D2PAK封装提供了强大的散热基础，结合高达300W的耗散能力，让您轻松应对持续高功率挑战。无论是提升现有方案的性能，还是开发下一代高效能产品，STB141NF55都能让您的设计更稳健、更高效。

• 型号:STB141NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB141NF55，ST（意法半导体）产品一站式供应商。