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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STB13NK60ZT4正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和13A的连续电流处理能力，核心在于其SuperMESH技术带来了极低的导通电阻（仅550毫欧@10V），能显著降低开关和传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，同时减少散热压力。

它能让您构建更紧凑、更可靠的功率系统。优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，提升整体动态性能；坚固的D2PAK封装则提供了强大的散热能力，确保在高达150W的功率耗散下依然稳定工作。无论是开关电源、电机驱动还是照明镇流器，选择STB13NK60ZT4，就是选择了一份让设计更高效、让产品更耐用的强大保障。

• 型号:STB13NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。