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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、同时保持极低损耗的功率开关吗？STB13N60M2正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有仅380毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它具备11A的强劲电流处理能力和优异的开关特性（栅极电荷仅17nC），让您能够设计出更紧凑、更高效的电路。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在各种严苛应用中的卓越可靠性和长久寿命，是提升产品性能和市场优势的强力引擎。

• 型号:STB13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。