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还在为寻找一颗能兼顾高压、大电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STB12NM50T4正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有550V的耐压和12A的连续电流能力，其核心价值在于MDmesh技术带来的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。极低的栅极电荷和优化的开关特性，确保了快速响应和最小化的开关损耗，从而提升整体能效。无论是用于开关电源、功率因数校正（PFC）还是照明镇流器，它都能提供稳定可靠的性能，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STB12NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM50T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。