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还在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压MOSFET吗？STB12NM50ND正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体的FDmesh II技术，拥有500V的耐压和11A的电流处理能力，其超低的380毫欧导通电阻能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片旨在简化您的设计并提升性能。它具备快速的开关特性（低栅极电荷）和优化的热性能（D2PAK封装），能轻松应对频繁开关的严苛环境。无论是用于开关电源、功率因数校正还是照明镇流器，STB12NM50ND都能让您以更少的散热设计负担，实现更高的功率密度和系统可靠性，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STB12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM50ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。