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还在为如何平衡功率开关的效率与成本而烦恼吗？让意法半导体的STB12NM50N来为您解决难题！这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效电能转换的得力助手。它拥有500V的高耐压和11A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的高压大电流场景。

其核心优势在于极低的导通损耗在10V驱动下，导通电阻低至380毫欧，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升整体频率响应和功率密度。选择它，就是选择了一个经过验证的、能显著提升您产品能效与可靠性的高性能解决方案。

• 型号:STB12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。