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您正在寻找一颗能轻松驾驭400V高压、提供高达9A强劲电流的功率开关吗？STB11NK40ZT4正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有低至550毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它不仅能处理高达110W的功率，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能让您轻松设计驱动电路，实现更快的开关频率和更低的开关损耗。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动高性能电机，STB11NK40ZT4都能让您以更少的发热和更高的可靠性，轻松达成设计目标，全面提升终端产品的能效与市场竞争力。

• 型号:STB11NK40ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11NK40ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。