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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的650V功率开关吗？STB11N65M5就是您的理想答案。它基于ST先进的MDmesh V技术，为您带来超低的导通电阻和栅极电荷，这意味着它能大幅降低开关损耗和驱动损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和功率密度。

这颗N沟道MOSFET拥有650V/9A的强劲规格，采用坚固的D2PAK封装，散热性能优异。它能让您高效地管理功率流，无论是用于AC-DC转换、电机控制还是PFC电路，都能确保系统运行更凉爽、更稳定。选择它，就是选择用一颗芯片解锁更卓越的系统性能与更长久的产品寿命。

• 型号:STB11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。