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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？让STB10N60M2为您带来改变！这颗基于先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，集600V高耐压与7.5A强电流于一身，旨在显著降低您的系统损耗。

它凭借极低的导通电阻（600mΩ）与栅极电荷（13.5nC），能大幅减少开关过程中的能量损失与发热，让您的电源或电机驱动设计运行更凉爽、更高效。其坚固的D2PAK封装和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，更能确保在各种严苛环境下稳定可靠，助您轻松打造更具竞争力的高性能产品。

• 型号:STB10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB10N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。