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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与低损耗的“全能型”功率开关吗？STB100NH02LT4正是为您而来的解决方案。它基于先进的STripFET III技术，在仅24V的漏源电压下，能持续承载高达60A的电流，而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动、30A电流条件下，电阻值仅为6毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片旨在让您的设计工作变得轻松。其5V至10V的宽泛驱动电压范围，让它与多种控制器都能完美匹配。低至1.8V的栅极阈值电压和优化的栅极电荷，确保了快速、干净的开关特性，有助于减少开关损耗并提升整体频率响应。无论是用于提升DC-DC转换器的功率密度，还是强化电机驱动的控制精度，它都能让您以更小的散热负担，实现更强的功率输出。

采用坚固的D2PAK表面贴装封装，并结合高达100W的功率耗散能力与宽广的工作温度范围，STB100NH02LT4为您提供了在紧凑空间内处理大功率的可靠基石，是追求高效率、高可靠性设计的工程师们的理想之选。

• 型号:STB100NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB100NH02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。