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您正在设计需要处理庞大电流的电源或电机驱动系统吗？STB100NF03L-03-1就是为您攻克效率难关而生的利器。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达100A的连续电流，而其惊人的3.2毫欧超低导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗被降至极低，直接为您提升系统整体能效，减少发热烦恼。

它基于STripFET III技术打造，不仅提供30V的耐压和高达300W的功率处理能力，更能在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定工作。其I2PAK通孔封装确保了卓越的散热性能，让您的设备即使在最严苛的工况下也能持续高效输出。选择它，就是为您的产品选择了一份强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STB100NF03L-03-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB100NF03L-03-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。