我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB100N6F7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流、压降低、开关快的“全能型”功率开关吗？STB100N6F7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达100A的电流处理能力，其核心魅力在于超低的5.6毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它不仅能轻松应对严苛的功率切换任务，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能让您实现更高频率的开关设计，从而缩小整体方案尺寸，降低成本。无论是提升能效、增强可靠性还是优化空间布局，STB100N6F7都是您实现设计目标的得力助手。

• 型号:STB100N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB100N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。