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还在寻找一颗能同时驾驭高频与高功率的射频放大核心吗？SD2900正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N通道射频MOSFET，专为400MHz及更高频段优化，能轻松将微小信号放大16dB，并稳定输出高达5W的功率，让您的通信链路更远、更清晰。

它让您在设计高频放大器、驱动器或末级功放时倍感高效。凭借28V的工作电压和900mA的电流能力，它能从容应对严苛的工作条件，而其65V的高额定电压则为系统提供了额外的安全裕度。采用成熟的M113封装，集成简便，可靠性久经考验，是提升您产品射频性能表现的得力助手。

• 型号:SD2900
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M113
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 28V M113
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:400MHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:900mA
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:5W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M113
• 供应商器件封装:M113
• SD2900，ST（意法半导体）产品一站式供应商。