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还在为高压应用中的效率与发热头疼吗？让SCT10N120来改变这一切！这颗来自ST意法半导力的碳化硅（SiC）功率晶体管，专为要求严苛的高效能源转换而设计。它集成了1200V的耐压和12A的电流处理能力，却能凭借先进的SiCFET技术，实现极低的导通与开关损耗。

这意味着，在您的太阳能逆变器、工业电机驱动或充电桩设计中，采用它可以让您轻松提升系统整体效率，大幅降低散热需求，从而打造出更紧凑、更可靠的电源方案。其坚固的HiP247封装和高达200°C的结温工作能力，更能确保您的产品在各种环境下稳定运行，让您高效应对设计挑战，赢在起跑线上。

• 型号:SCT10N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT10N120，ST（意法半导体）产品一站式供应商。