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PD85050S 零件图片(仅供参考)

PD85050S
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PD85050S 规格参数

还在寻找一颗能同时驾驭高功率与高效率的射频核心?PD85050S就是您期待的答案。这颗基于先进LDMOS技术的射频MOSFET,专为870MHz频段的严苛应用设计,能轻松输出高达55W的强劲功率,并保持12dB的优秀增益,让您的信号覆盖更广、质量更优。

它采用13.6V标准电压驱动,配合优化的PowerSO-10RF封装,不仅让您的系统设计更简洁,更能确保出色的散热和长期可靠性。无论是提升现有设备的输出能力,还是开发新一代高性能射频产品,PD85050S都能让您高效实现目标,显著提升产品竞争力。

  • 制造商产品型号:PD85050S
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO-10
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:LDMOS
  • 频率:870MHz
  • 增益:12dB
  • 电压-测试:13.6V
  • 额定电流(安培):1A
  • 噪声系数:-
  • 电流-测试:500mA
  • 功率-输出:55W
  • 电压-额定:50V
  • 封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
  • PD85050S,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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PD85050S 基本参数:

  • 电子零件型号:PD85050S
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO-10
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 点击此处查询PD85050S的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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