

还在寻找一颗能同时驾驭高功率与高效率的射频核心?PD85050S就是您期待的答案。这颗基于先进LDMOS技术的射频MOSFET,专为870MHz频段的严苛应用设计,能轻松输出高达55W的强劲功率,并保持12dB的优秀增益,让您的信号覆盖更广、质量更优。
它采用13.6V标准电压驱动,配合优化的PowerSO-10RF封装,不仅让您的系统设计更简洁,更能确保出色的散热和长期可靠性。无论是提升现有设备的输出能力,还是开发新一代高性能射频产品,PD85050S都能让您高效实现目标,显著提升产品竞争力。



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