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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益和出色稳定性的射频放大核心吗？PD85025TR-E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为870MHz频段优化，能轻松为您提供高达10W的输出功率和17.3dB的增益，让您的无线信号传输得更远、更稳。

它就像一位强大的“信号引擎”，在13.6V的工作电压下高效运转，额定电流高达7A，确保在 demanding 的应用中持续输出澎湃动力。其40V的高额定电压和优化的PowerSO-10RF封装，让您在设计时无需过分担心耐压和散热问题，从而更专注于系统创新，大幅提升开发效率。

• 型号:PD85025TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD85025TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。