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还在为射频前端设计的功率与效率难题寻找解决方案吗？让PD85015S-E来为您分忧！这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管，专为870MHz频段的高性能应用优化，能轻松将您的信号放大至15W的强大输出，同时提供高达16dB的增益，让您的系统以更少的级数实现更远的通信距离和更稳定的信号质量。

它能在13.6V的典型工作电压下高效运行，其坚固的构造和40V的高耐压设计，让您无惧复杂工况的挑战。采用创新的PowerSO-10封装并配备裸露焊盘，散热效能出众，确保芯片持续高性能输出而不“发烧”。无论是构建专业的无线通信设备，还是升级现有的射频系统，PD85015S-E都能让您的设计工作变得高效而可靠，是实现强劲射频动力的理想核心。

• 制造商产品型号：PD85015S-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC RF PWR TRANSISTOR PWRSO-10RF
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：870MHz
• 增益：16dB
• 电压-测试：13.6V
• 额定电流（安培）：5A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：150mA
• 功率-输出：15W
• 电压-额定：40V
• 封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
• PD85015S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。