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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与小尺寸的射频功率解决方案吗？PD85006L-E正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为870MHz频段优化，能为您提供高达5W的强劲输出功率和17dB的卓越增益，让您的无线通信设备信号更强、覆盖更远。

它采用先进的PowerFLAT 5x5微型封装，不仅极大地节省了宝贵的电路板空间，其优异的散热设计更能确保芯片在长时间高负荷工作下的稳定性。无论是用于专业通信、工业控制还是测试测量领域，PD85006L-E都能让您轻松构建高效、可靠的射频前端，显著提升终端产品的整体性能和竞争力。

• 型号:PD85006L-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:2A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:5W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• PD85006L-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。