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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高增益和出色可靠性的射频功率核心吗？PD85006-E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为870MHz频段优化，能为您轻松输出高达6W的强劲功率，同时提供17dB的卓越增益，让您的信号放大链路设计更简洁，性能更出众。

它采用先进的PowerSO-10RF封装，内置裸露焊盘，让您能高效管理散热，确保在13.6V工作电压及严苛环境下持续稳定运行。无论是提升专业通信设备的覆盖能力，还是强化工业无线链路的可靠性，PD85006-E都能成为您系统中高效、可靠的能量源泉，助您轻松攻克射频功率挑战。

• 型号:PD85006-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:2A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:6W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD85006-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。