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还在寻找一颗能在870MHz频段提供强劲、稳定动力的射频核心吗？PD84010TR-E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频晶体管，专为功率放大而优化，让您轻松获得高达2W的输出功率和16.3dB的出色增益，显著提升您的系统信号覆盖能力和传输效率。

它采用坚固的PowerSO-10RF封装，优异的散热设计确保在高负荷下持续稳定工作。高达40V的额定电压和8A的电流能力，赋予了它强大的驱动性能和可靠性。选择PD84010TR-E，就是为您的无线通信、射频功放等应用选择一个高效、可靠的能量源泉。

• 型号:PD84010TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16.3dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD84010TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。