我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） PD57060STR-E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计一款需要强劲射频动力的设备吗？PD57060STR-E正是为您而来的解决方案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率晶体管，能在关键的945MHz频段，轻松将您的信号放大至60W的强大输出，同时提供高达14.3dB的增益，显著提升系统的传输距离与信号质量。

它内置了卓越的性能基因：65V的高额定电压与7A的电流能力赋予了它充足的功率余量，确保在28V工作电压下稳定可靠。独特的PowerSO-10封装与裸露焊盘设计，让散热处理变得高效简单，助您应对高功率密度挑战。无论是用于专业通信、广播还是工业应用，它都能成为您射频放大链路中高效、信赖的核心引擎，让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:PD57060STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.3dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD57060STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。