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还在寻找一颗能同时驾驭高频与高功率的射频“引擎”吗？PD57045TR-E正是您的理想答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率MOSFET，专为945MHz频段的严苛应用而优化，能轻松输出高达45W的稳定功率，让您的基站、广播或工业射频设备拥有更强悍的“信号心脏”。

它凭借14.5dB的高增益和65V的高耐压特性，让您的系统设计更简洁，驱动更轻松，同时确保了在复杂工作环境下的卓越可靠性和效率。采用先进的PowerSO-10RF封装，散热性能出众，助您构建更紧凑、更高效、寿命更长的下一代无线产品。

• 制造商产品型号：PD57045TR-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：FET RF 65V 945MHZ POWERSO-10RF
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：945MHz
• 增益：14.5dB
• 电压-测试：28V
• 额定电流（安培）：5A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：250mA
• 功率-输出：45W
• 电压-额定：65V
• 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• PD57045TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。