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还在寻找一颗能同时驾驭高功率与高频率的射频核心吗？让PD57030S来为您实现！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为 demanding 应用而生，能在945MHz频段稳定输出高达30W的强劲功率，让您的无线信号覆盖更广、穿透力更强。

它集成了65V高耐压和4A大电流驱动能力，确保系统在复杂工况下的卓越可靠性。其14dB的增益让您的设计事半功倍，轻松实现高效的前级驱动。采用PowerSO-10封装并带有裸露焊盘，散热性能优异，让您能更从容地进行紧凑型高性能设计，全面提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:PD57030S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:30W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57030S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。