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还在为射频功率放大模块的效率与稳定性头疼吗？PD57018TR-E这颗高性能LDMOS射频功率晶体管，就是为您量身打造的解决方案。它能在945MHz的中心频率下，轻松输出高达18W的强劲功率，并以16.5dB的高增益，让您的信号传输更远、更清晰。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松构建高效、可靠的射频前端。其65V的高耐压和2.5A的额定电流，确保了在严苛环境下的稳定工作；而先进的PowerSO-10RF封装则提供了卓越的散热能力，让您的设备持续高性能输出而无后顾之忧。选择它，就是为您的无线通信产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:PD57018TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:18W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD57018TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。