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PD57006-E 零件图片(仅供参考)

PD57006-E
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PD57006-E 规格参数

还在寻找一颗能在945MHz频段提供强劲、稳定功率输出的核心器件吗?PD57006-E正是为您而来的解决方案。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管,能够轻松输出高达6W的功率,并以15dB的高增益显著提升您的信号强度,让您的无线通信或射频系统拥有更远的覆盖能力和更清晰的信号质量。

它专为严苛应用而设计,65V的高额定电压提供了充裕的安全裕度,确保在28V典型工作电压下稳定运行。PowerSO-10RF封装集成了裸露焊盘,让您能高效管理散热,保障设备长期可靠工作。选择PD57006-E,就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“射频心脏”。

  • 型号:PD57006-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSO-10RF(成形引线)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:LDMOS
  • 配置:-
  • 频率:945MHz
  • 增益:15dB
  • 电压 - 测试:28 V
  • 额定电流(安培):1A
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:70 mA
  • 功率 - 输出:6W
  • 电压 - 额定:65 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
  • 供应商器件封装:PowerSO-10RF(成形引线)
  • PD57006-E,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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PD57006-E 基本参数:

  • 电子零件型号:PD57006-E
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 点击此处查询PD57006-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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