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还在为射频前端设计的功率与效率平衡而头疼吗？让PD57002-E为您轻松化解难题！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为960MHz高频应用优化，能为您稳定输出高达2W的功率，并带来15dB的卓越增益，显著提升信号链路的整体性能。

它采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您在高负载下也能保持高效稳定运行。无论是构建专业的通信基站、工业射频设备，还是其他需要强劲射频驱动的场景，PD57002-E都能成为您设计中可靠的核心动力，助您快速实现高性能目标。

• 型号:PD57002-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:960MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:250mA
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57002-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。