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还在为射频前端设计的功率瓶颈而烦恼吗？让PD55025为您开启高效能射频放大新篇章！这颗基于LDMOS技术的射频功率FET，专为 demanding 应用而生，能在500MHz的中心频率下，稳定输出高达25W的功率，并带来14.5dB的出色增益，让您的信号放大任务变得前所未有的强劲和清晰。

它内置的卓越性能，让您轻松应对广播发射、专业移动通信等场景的挑战。其40V的高额定电压和优化的PowerSO-10封装，确保了在高负载下的稳定运行与高效散热。选择PD55025，就是为您的系统注入一颗强大、可靠的心脏，显著提升整体传输效率与覆盖范围，助您快速实现产品性能的飞跃。

• 型号:PD55025
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:25W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD55025，ST（意法半导体）产品一站式供应商。