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还在寻找一颗能同时兼顾高功率与高频率的射频放大核心吗？PD55008TR正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS FET，能在高达500MHz的频率下，稳定输出8W的强大功率，并带来高达17dB的增益，让您的信号放大链路设计变得前所未有的高效与简洁。

它专为严苛应用而生。无论是驱动通信基站末级功放，还是为工业射频能量系统提供稳定激励，其40V的高耐压和4A的电流能力都让系统运行更加稳健可靠。采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您轻松应对持续大功率工作的热管理挑战，确保性能持久如一。

• 型号:PD55008TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD55008TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。