我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） PD55008TR-E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为射频前端设计的功率与效率难题寻找最优解吗？PD55008TR-E正是为您而来的答案。这颗基于先进LDMOS工艺的射频功率晶体管，能在500MHz频段为您稳定输出8W的强大功率，同时提供高达17dB的增益，让您的信号发射系统瞬间获得更远的覆盖能力和更清晰的传输质量。

它让您轻松应对高要求的设计挑战。高达40V的额定电压和4A的电流承载能力，确保了其在严苛环境下的卓越可靠性。其独特的PowerSO-10RF封装配合裸露焊盘设计，显著优化了散热性能，让芯片持续高效工作，有效延长您的产品生命周期。选择它，就是为您的射频应用注入一颗强劲而稳定的“心脏”。

• 型号:PD55008TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD55008TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。