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还在寻找那颗能同时兼顾高功率与高稳定性的射频“心脏”吗？PD54003-E正是为您而来的答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频晶体管，能在500MHz频段上稳定输出高达3W的功率，并带来12dB的显著增益，让您的通信设备信号更强、覆盖更远、通话更清晰。

它采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您轻松应对高负荷工作下的热挑战。无论是用于射频功率放大还是信号驱动，PD54003-E都能以卓越的效率和可靠性，简化您的设计流程，提升整机性能，是您打造下一代高性能无线设备的理想选择。

• 型号:PD54003-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:12dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:3W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD54003-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。